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IXTH1N200P3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXTH1N200P3 product

IXTH1N200P3

MOSFETs - Single

HochspannungMOSFETN-Kanal

Der IXTH1N200P3 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET für 2000V und 1A, optimiert für anspruchsvolle Hochspannungsanwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungsnetzteile
  • Kondensatorentladung
  • Pulsgeneratoren

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen effizientere Bauteile verfügbar sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

Vdss
2000 V
Id
1.0 A
Rds(on)
40 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

163247.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXTH1N200P3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von IXYS (Littelfuse) für Hochspannungsschaltanwendungen bis 2000V.