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IXTH2N150 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXTH2N150 product

IXTH2N150

MOSFETs - Single

HochspannungMOSFETTO-247

Der IXTH2N150 ist ein robuster 1500V N-Kanal-MOSFET für Hochspannungsschaltanwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungswandlung
  • Impulsanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen ein niedrigerer RDS(on) erforderlich ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDSS
1500 V
ID
2 A
RDS(on)
9.2 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXTH2N150 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1500V, 2A N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET mit schneller interner Diode im TO-247-Gehäuse.