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IXTP120P065T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXTP120P065T product

IXTP120P065T

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETLeistung

Der IXTP120P065T ist ein leistungsstarker P-Kanal-Leistungs-MOSFET von IXYS (Littelfuse), der für Anwendungen mit hohen Strömen und hoher Leistungsdichte optimiert ist.

Ideal für

  • High-Side-Schaltung
  • DC-Chopper
  • Gegentaktverstärker

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Polarität erfordern
  • Extrem platzkritische Designs ohne Kühlkörper

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
-65 V
Id
-120 A
RDS(on)
10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

162848.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXTP120P065T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET im Anreicherungsmodus mit einer Nennspannung von -65V und einem Strom von -120A, der für effizientes Schalten ausgelegt ist.