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IXTP3N120 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXTP3N120 product

IXTP3N120

MOSFETs - Single

MOSFET1200VLeistungN-Kanal

Der IXTP3N120 ist ein 1200V, 3A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-220AB-Gehäuse, optimiert für Hochspannungsanwendungen.

Ideal für

  • Hochspannungswandlung
  • Impulsschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, die einen extrem niedrigen RDS(on) erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr
  • Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

Vdss
1200 V
Id
3 A
RDS(on)
4.5 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

163436.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXTP3N120 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET mit 1200V Spannungsfestigkeit und 3A Strombelastbarkeit, der für Lawinendurchbrüche ausgelegt ist.