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IXTQ170N10P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXTQ170N10P product

IXTQ170N10P

MOSFETs - Single

N-Kanal100VLeistungs-MOSFETTO-3P

Der IXTQ170N10P ist ein leistungsstarker 100V, 170A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-3P-Gehäuse, optimiert für industrielle Anwendungen und Motorsteuerungen.

Ideal für

  • Industrielle Hochleistungsnetzteile
  • Motorsteuerungssysteme

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung oder begrenztem Platz, die kleinere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Treiber-Fähigkeit

Wichtige Specs

VDSS
100 V
ID
170 A
RDS(on)
9 mΩ
PD
715 W

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileMotorantriebe

Datenblatt

f83c18d5eb33c9c87de9c646e2d43068_littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXTQ170N10P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET von Littelfuse/IXYS, der für 100V und 170A ausgelegt ist und für hocheffiziente Stromwandlungen entwickelt wurde.