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IXTQ200N10T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXTQ200N10T product

IXTQ200N10T

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VLeistung

Der IXTQ200N10T ist ein leistungsstarker N-Kanal-TrenchMV-MOSFET für Automobil- und Industrieanwendungen.

Ideal für

  • Automobil-Motorsteuerungen
  • Hochstromschaltungen
  • DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Platzbedarf, die kleinere Gehäuse erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen und Gate-Ansteuerspannungspegel.

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
200 A
Rds(on)
5,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilLeistungselektronik

Datenblatt

a4683818160b52a44a217bb4b4428554_littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXTQ200N10T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 100V, 200A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-3P-Gehäuse mit niedrigem Einschaltwiderstand.