Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET mit Trench-Gate-Technologie, der für hohe Strombelastbarkeit und niedrigen Einschaltwiderstand optimiert ist.
IXTQ50N25T KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- VDSS
- 250V
- ID25
- 50A
- RDS(on)
- 60mΩ
- PD
- 400W
Compliance & Umwelt
- RoHS
- Compliant
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
NetzteileMotorantriebe
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für IXTQ50N25T laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
