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IXTQ82N25P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXTQ82N25P product

IXTQ82N25P

MOSFETs - Single

N-KanalLeistungs-MOSFET250V

Der IXTQ82N25P ist ein leistungsstarker N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für industrielle Anwendungen mit hohem Strom- und Spannungsbedarf.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • DC-DC-Wandler
  • Motorantriebe

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringem Platzbedarf, die kleinere Gehäuse erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr und Gate-Ansteuerspannung.

Wichtige Specs

VDSS
250 V
ID
82 A
RDS(on)
38 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileMotorantriebe

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXTQ82N25P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen lawinenfesten N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 250V und einem Dauerstrom von 82A.