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IXTQ88N30P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXTQ88N30P product

IXTQ88N30P

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal300VLeistung

Der IXTQ88N30P ist ein leistungsstarker 300V, 88A N-Kanal-Leistungs-MOSFET im TO-3P-Gehäuse, der sich ideal für industrielle Hochleistungsanwendungen eignet.

Ideal für

  • Industrielle Netzteile
  • Motorsteuerung
  • Hochleistungs-Stromwandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit geringer Leistung oder begrenztem Platz, die kleinere Gehäuse erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Gate-Treiber-Spannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
300 V
Id
88 A
Rds(on)
40 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

IXTQ88N30P-IXYS-datasheet-10738099.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXTQ88N30P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOSFET, der für 300V und 88A ausgelegt ist und für Hochleistungsschaltanwendungen entwickelt wurde.