IXTX110N20L2-JSM Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | JSMSEMI | PartGenie

KI-Zusammenfassung

IXTX110N20L2-JSM product

Der IXTX110N20L2-JSM ist ein leistungsstarker 200V, 110A N-Kanal-MOSFET im TO-247-Gehäuse, optimiert für industrielle Stromwandlungsanwendungen.

Ideal für

SMPS
USV
PFC

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit geringer Leistung oder begrenztem Platz, bei denen das TO-247-Gehäuse zu groß ist.

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen und Gate-Treiber-Stärke.

Wichtige Specs

Vdss: 200 V
Id: 110 A
Rds(on): 20 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

StromwandlungIndustrie

Datenblatt

5aa104acf5635d125a44114fb302677d_2401261531_JSMSEMI-IXTX110N20L2-JSM_C20616620.pdf

800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXTX110N20L2-JSM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 200V N-Kanal-Leistungs-MOSFET von JSMSEMI, der für Hochstrom-Schaltanwendungen entwickelt wurde.