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IXYX30N170CV1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

IXYX30N170CV1 product

IXYX30N170CV1

Transistors - IGBTs - Single

IGBT1700VXPTLeistungstransistor

Der IXYX30N170CV1 ist ein 1700V, 30A XPT-IGBT mit integrierter Diode im PLUS247-Gehäuse, optimiert für Hochspannungs-Leistungswandler.

Ideal für

  • Hochspannungsnetzteile
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen kleinere Komponenten ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Gate-Treiber-Spannungspegel

Wichtige Specs

Vces
1700 V
Ic (110°C)
30 A
Vce(sat)
4.0 V

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

NetzteileIndustrie

Datenblatt

9d99b949dde2a496aa0a5d38571f904d_littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixy_30n170cv1_datasheet.pdf.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für IXYX30N170CV1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Hochspannungs-XPT-IGBT mit integrierter Diode, ausgelegt für 1700V und 30A, konzipiert für Anwendungen mit hoher Leistungsdichte.