K4AAG165WA-BCWE Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Samsung Electro-Mechanics | PartGenie

KI-Zusammenfassung

K4AAG165WA-BCWE product

Der K4AAG165WA-BCWE ist ein 16Gb DDR4 SDRAM-Speicherbaustein von Samsung, organisiert als 1G x 16, der mit 1,2V in einem 96-Ball FBGA-Gehäuse betrieben wird.

Ideal für

Hochdichte Speichermodule
PC- und Serveranwendungen

Vermeiden, wenn

Eingebettete Systeme mit geringem Stromverbrauch, die keinen DDR4-Speicher benötigen

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen
PCB-Layout für 96-Ball BGA

Wichtige Specs

Dichte: 16Gb
Organisation: 1G x 16
Spannung: 1,2V
Gehäuse: 96-Ball FBGA

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

ComputingServer

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für K4AAG165WA-BCWE laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 16Gb DDR4 SDRAM-Speicherchip von Samsung, der für Hochleistungsrechner und Verbraucheranwendungen entwickelt wurde.