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K4B2G1646F-BYMA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

K4B2G1646F-BYMA product

K4B2G1646F-BYMA

Memory - DDR3 SDRAM

DDR3LSDRAMSamsungSpeicher

Das K4B2G1646F-BYMA ist ein 2Gb DDR3L-SDRAM von Samsung, organisiert als 128M x 16, das für Datentransferraten von bis zu 1866Mbps ausgelegt ist.

Ideal für

  • Eingebettete Systeme
  • Netzwerkausrüstung
  • Unterhaltungselektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die nichtflüchtigen Speicher erfordern
  • Systeme mit strengen Leistungsbeschränkungen unter 1.28V

Vor der Verwendung prüfen

  • Timing-Einstellungen des Speichercontrollers
  • Signalintegrität für DDR3L-Schnittstellen

Wichtige Specs

Speicherdichte
2Gb
Datenrate
1866Mbps
Spannung
1.35V / 1.5V
Gehäuse
96-FBGA

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

IndustrieVerbraucher

Datenblatt

71a924b43c8d98cfad2fe3169d0552b9_2009081106_Samsung-K4B2G1646F-BYMA_C500274.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für K4B2G1646F-BYMA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 2Gb DDR3L (Low Voltage) Synchronous DRAM, organisiert als 128M x 16, basierend auf Samsungs F-die-Prozess.