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K4B4G1646E-BMMA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

K4B4G1646E-BMMA product

K4B4G1646E-BMMA

Memory - DDR3 SDRAM

DDR3LSpeicherIndustriell

Der K4B4G1646E-BMMA ist ein 4Gb DDR3L-SDRAM von Samsung, der für industrielle Anwendungen mit einer 256Mx16-Organisation und 1,35V-Betrieb optimiert ist.

Ideal für

  • Industrielle eingebettete Systeme
  • Hochgeschwindigkeits-Speicheranwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Standard-1,5V-DDR3 ohne Spannungsregelung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Signalintegrität und Timing-Parameter

Wichtige Specs

Dichte
4Gb
Organisation
256M x 16
Spannung
1,35V
Temperaturbereich
-40°C bis 95°C

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

IndustriellAllgemein

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für K4B4G1646E-BMMA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 4Gb DDR3L (Low Voltage) synchronen DRAM-Baustein, organisiert als 256M x 16 Bit, der für schnelle Datenübertragungen ausgelegt ist.