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K4B4G1646E-BYMA KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

K4B4G1646E-BYMA product

K4B4G1646E-BYMA

Memory

DDR3LSDRAMSpeicherSamsung

Der K4B4G1646E-BYMA ist ein 4Gb DDR3L-SDRAM von Samsung, der für Hochgeschwindigkeits-Speicheranwendungen mit 1,35V-Betrieb optimiert ist.

Ideal für

  • Hochleistungsrechner
  • Eingebettete Systeme
  • Unterhaltungselektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die ausschließlich Standard-1,5V-DDR3 ohne 1,35V-Unterstützung erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Timing-Einstellungen des Speichercontrollers
  • Anforderungen an die Wärmeableitung

Wichtige Specs

Kapazität
4Gb
Geschwindigkeit
1866Mbps
Spannung
1,35V
Gehäuse
96-FBGA

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

ComputingUnterhaltungselektronik

Datenblatt

b4b278ce5d26aaa2bd290676ea799f5c.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für K4B4G1646E-BYMA laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 4-Gigabit (4Gb) DDR3L (Low Voltage) Synchronous DRAM (SDRAM) Chip, organisiert als 256M x 16 Bit, hergestellt von Samsung.