K4T1G084QJ-BCE7 Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | Samsung Electro-Mechanics | PartGenie

KI-Zusammenfassung

K4T1G084QJ-BCE7 product

Das K4T1G084QJ-BCE7 ist ein 1-Gbit-DDR2-SDRAM von Samsung, konfiguriert als 128M x 8, das für Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungen mit 800 Mbps ausgelegt ist.

Ideal für

Wartung von Altsystemen
Eingebettete Systeme, die DDR2 benötigen

Vermeiden, wenn

Neue Designs, die hohe Bandbreite oder geringen Stromverbrauch erfordern

Vor der Verwendung prüfen

Timing-Parameter des Speichercontrollers

Wichtige Specs

Speicherdichte: 1 Gbit
Geschwindigkeitsklasse: DDR2-800
Spannung: 1,8 V

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

IndustrieAllgemein

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für K4T1G084QJ-BCE7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 1-Gbit-DDR2-SDRAM-Baustein, der als 128M x 8 Bit organisiert ist und von Samsung hergestellt wird.