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KMB3D0P30SA-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

KMB3D0P30SA-HXY product

KMB3D0P30SA-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-2330V

Der KMB3D0P30SA ist ein 30V, 4.1A P-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Schaltanwendungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,32W

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Spannungspegel

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-4.1 A
RDS(ON)
< 56 mΩ
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Lead free
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

4cae56e81e480cb2403c4815e4ea7d05_2403261742_HXY-MOSFET-KMB3D0P30SA-HXY_C22367256.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für KMB3D0P30SA-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand optimiert ist.