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KN3M65017D KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

KN3M65017D product

KN3M65017D

UV

SiC MOSFET1700VLeistungstransistor

Der KN3M65017D ist ein 1700V Siliziumkarbid (SiC)-Leistungs-MOSFET im TO-247-3-Gehäuse, der für Hochspannungs-Stromwandleranwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Hilfsstromversorgungen
  • Schaltnetzteile (SMPS)
  • Hochspannungs-kapazitive Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Silizium-MOSFETs kostengünstiger sind.

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Gate-Ansteuerspannung (-5V/+20V empfohlen)
  • Wärmeableitungskapazität (62W max)

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
1700 V
Kontinuierlicher Drainstrom
7 A
Einschaltwiderstand
650 mΩ
Gehäuse
TO-247-3

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungIndustrie

Datenblatt

9f663fd3b1f5a09b206843d1d6421379_2308011458_KNSCHA-KN3M65017D_C7432998.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für KN3M65017D laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Hochspannungs-SiC-Leistungs-MOSFET von KNSCHA mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 1700V und einem Einschaltwiderstand von 650mΩ.