KNB2912A Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | KIA Semiconductor | PartGenie

KI-Zusammenfassung

KNB2912A product

Der KNB2912A ist ein leistungsstarker 120V, 130A N-Kanal-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten und Hochfrequenzanwendungen optimiert ist.

Ideal für

Leistungsschaltung
USV-Systeme
Hochfrequenzschaltungen

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit extrem niedriger Gate-Ladung
Platzkritische Designs, bei denen TO-263 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeabfuhr-Anforderungen
Kompatibilität der Gate-Ansteuerschaltung

Wichtige Specs

VDS: 120V
ID: 130A
RDS(on): 6,0mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: -
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

LeistungsschaltungUSV

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für KNB2912A laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der KNB2912A ist ein N-Kanal-MOSFET von KIA Semiconductor mit einer Drain-Source-Spannung von 120V und einem Dauerstrom von 130A.