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KPE4403A2 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

KPE4403A2 product

KPE4403A2

Discrete Semiconductor Products

Dual P-KanalMOSFETSOP-8Trench-Technologie

Der KPE4403A2 ist ein dualer P-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen wie synchrone Abwärtswandler entwickelt wurde.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • Stromversorgungs-Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Extreme Umgebungen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-5,0 A
RDS(on)
42 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Stromversorgung

Datenblatt

b1f5bbd1e90d8d89ab57fe081115efc6_2012301033_KIA-Semicon-Tech-KPE4403A2_C1509092.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für KPE4403A2 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen P-Kanal-MOSFET von KIA Semiconductor, der fortschrittliche Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung nutzt.