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KSD2012GTU KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

KSD2012GTU product

KSD2012GTU

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNLeistungstransistorTO-220F

Der KSD2012 ist ein 60V, 3A NPN-Leistungstransistor im TO-220F-Gehäuse, der hauptsächlich für Niederfrequenz-Leistungsverstärker verwendet wird.

Ideal für

  • Niederfrequenz-Leistungsverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Hochfrequenzanwendungen
  • Anwendungen mit mehr als 3A Strom

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement
  • hFE-Klassifizierung

Wichtige Specs

VCEO
60 V
IC
3 A
PC
25 W

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Affected
MSL
Vendor Undefined
ECCN
nan
HTSUS
nan

Anwendung

Leistungsverstärker

Datenblatt

BOURD008-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für KSD2012GTU laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der KSD2012 ist ein NPN-Epitaxial-Siliziumtransistor für Niederfrequenz-Leistungsverstärker.