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KSE350G-JSM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

KSE350G-JSM product

KSE350G-JSM

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNLeistungstransistor300V

Der KSE350G-JSM ist ein 300V NPN-Leistungstransistor im TO-126F-Gehäuse, der für Hochspannungsschaltanwendungen und allgemeine Verstärkeraufgaben konzipiert ist.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltungen
  • Allgemeine Leistungsverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die hohe Ströme (>0,5A) erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VCEO
300 V
IC
0,5 A
hFE
30 - 240

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungselektronikIndustrie

Datenblatt

9753b08cb9f4101449349159b9f7e7fa_2404101034_JSMSEMI-KSE350G-JSM_C18188743.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für KSE350G-JSM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Leistungstransistor für Hochspannungsanwendungen mit einer Kollektor-Emitter-Spannungsfestigkeit von 300V.