Es handelt sich um einen P-Kanal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von -20V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von -4A im SOT-23-Gehäuse.
KSI2305CDS-T1-GE3 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
KSI2305CDS-T1-GE3
MOSFETs - Single
Wichtige Specs
- VDS
- -20 V
- ID
- -4 A
- RDS(on) @ -4.5V
- 65 mΩ
Compliance & Umwelt
- RoHS
- -
- REACH
- -
- MSL
- -
- ECCN
- -
- HTSUS
- -
Anwendung
Energieverwaltung
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für KSI2305CDS-T1-GE3 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.