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L2N7002LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

L2N7002LT1G product

L2N7002LT1G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VSOT-23AEC-Q101

Der L2N7002LT1G ist ein zuverlässiger 60V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, ideal für Signal-Schaltanwendungen in der Automobil- und Industrieelektronik.

Ideal für

  • Signalschaltung
  • Automobil-Steuerschaltungen
  • Low-Power-Logik-Schnittstellen

Vermeiden, wenn

  • Hochstrom-Leistungsschaltanwendungen
  • Hochfrequenz-Leistungsverstärkung

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Thermische Auslegung in engen Gehäusen

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
60 V
Dauerstrom
115 mA
Max. RDS(on)
7.5 Ohm
ESD-Schutz
1000 V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilIndustrieVerbraucherelektronik

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für L2N7002LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

3
PartDetailsMatch
2N7002BK,215Nexperia USA Inc.

A Nexperia upgrade with higher current, lower Rds(on), and matching AEC-Q101 qualification.

Needs validation

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von 60V, der für effizientes Schalten in kompakten Schaltungen entwickelt wurde.