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L2N7002SWT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

L2N7002SWT1G product

L2N7002SWT1G

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalKleinsignalSC-70

Der L2N7002SWT1G ist ein 60V, 320mA N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET im SC-70-Gehäuse, optimiert für Schalt- und Pegelwandlungsanwendungen.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Pegelwandlung
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 320mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei kleinen Leiterplattenflächen

Wichtige Specs

VDSS
60 V
ID
320 mA
RDS(on)
2.8 Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

UnterhaltungselektronikTragbare Geräte

Datenblatt

e1597677ca1fa4f3f31c6fc8f3e1e0a3_1912111437_LRC-L2N7002SWT1G_C383164.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für L2N7002SWT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 60V und einem Dauerstrom von 320mA, untergebracht in einem kompakten SC-70 (SOT-323) Gehäuse.