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L2SA812SLT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

L2SA812SLT1G product

L2SA812SLT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTransistorSOT-23

Der L2SA812SLT1G ist ein PNP-Silizium-Transistor für allgemeine Anwendungen im SOT-23-Gehäuse, geeignet für Schalt- und Verstärkeraufgaben.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen mit mehr als 200mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei Dauerbetrieb nahe 150mA

Wichtige Specs

Typ
PNP
VCEO
-50 V
IC
-150 mA
hFE
270 - 560

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Anwendungen

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für L2SA812SLT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Silizium-Transistor für allgemeine Zwecke, der in einem SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht ist.