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L2SC3356WT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

L2SC3356WT1G product

L2SC3356WT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - RF

NPNRF-TransistorRauscharm

Der L2SC3356WT1G ist ein leistungsstarker NPN-RF-Transistor, der für rauscharme Verstärkung in VHF-, UHF- und CATV-Bändern optimiert ist.

Ideal für

  • RF-rauscharme Verstärker
  • VHF/UHF-Signalverarbeitung
  • CATV-Infrastruktur

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen
  • Niederfrequenz-Audioverstärkung

Vor der Verwendung prüfen

  • PCB-Layout-Parasiten
  • Wärmeableitung in Umgebungen mit hoher Temperatur

Wichtige Specs

Rauschzahl
1,1 dB
Verstärkung
11 dB
Transitfrequenz
7 GHz

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

RF-Kommunikation

Datenblatt

781c7e4539301056e791fcd6bc4db8da.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für L2SC3356WT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Silizium-Epitaxialtransistor für rauscharme Verstärkeranwendungen in VHF-, UHF- und CATV-Frequenzbändern.