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L6491DTR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

L6491DTR product

L6491DTR

Gate Drivers

GatetreiberHalbbrücke600V

Der L6491DTR ist ein leistungsstarker 600V-Halbbrücken-Gatetreiber für N-Kanal-MOSFETs/IGBTs mit 4A-Treiberleistung und integrierten Schutzfunktionen.

Ideal für

  • Industrielle Motorantriebe
  • Netzteile
  • USV-Systeme

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen ein einfacherer Treiber ausreicht

Vor der Verwendung prüfen

  • Bootstrap-Kondensator-Auswahl basierend auf der Gate-Ladung

Wichtige Specs

Max. Spannung
600 V
Spitzenstrom
4 A
Gehäuse
SO-14

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

IndustrieantriebeNetzteile

Datenblatt

L6491DTR-STMicroelectronics-datasheet-39167476.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für L6491DTR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Hochspannungs-Halbbrücken-Gatetreiber-IC von STMicroelectronics, der für die Ansteuerung von N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in Anwendungen bis 600V ausgelegt ist.