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L8050HQLT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

L8050HQLT1G product

L8050HQLT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNTransistorSOT-23Allgemeine Anwendung

Der L8050HQLT1G ist ein NPN-Transistor für hohe Ströme im SOT-23-Gehäuse, ideal für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen bei begrenztem Platz.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Signalverstärkung
  • Kompakte Schaltungsdesigns

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hoher Spannung (>25V)
  • Umgebungen mit hoher Verlustleistung ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement
  • Kompatibilität des PCB-Footprints

Wichtige Specs

VCEO
25 V
IC
1,5 A
hFE
150-300
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine AnwendungSchaltanwendungen

Datenblatt

f2f07f003c139f0734dad5236afacbd8.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für L8050HQLT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Epitaxial-Planar-Transistor, der für hohe Stromkapazität in einem kompakten SOT-23-Gehäuse ausgelegt ist.