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L8050QLT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

L8050QLT1G product

L8050QLT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNBJTSOT-23Automobil

Der L8050QLT1G ist ein robuster NPN-Siliziumtransistor im SOT-23-Gehäuse, ideal für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen bei begrenztem Platz.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Signalverstärkung
  • Automobil-Steuerschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit einer Verlustleistung über 225mW
  • Anwendungen, die Hochfrequenzleistung jenseits der BJT-Standardgrenzen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement
  • hFE-Verstärkungsanforderungen

Wichtige Specs

VCEO
25 V
IC
800 mA
hFE
150 - 300
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine AnwendungAutomobilIndustrie

Datenblatt

121589d26310c847a4ae9cd8d71400b2.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für L8050QLT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Allzwecktransistor mit hoher Strombelastbarkeit (800mA) in einem kompakten SOT-23-Gehäuse.