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LBC847CDW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LBC847CDW1T1G product

LBC847CDW1T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Dual NPNSOT-363Allzweck

Der LBC847CDW1T1G ist ein dualer NPN-Allzweck-Verstärkertransistor im kompakten SOT-363-Gehäuse, ideal für platzkritische Anwendungen.

Ideal für

  • Allgemeine Signalverstärkung
  • Platzsparende PCB-Designs

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen
  • Anwendungen mit Spannungen über 45V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Kurven bei Temperaturen über 25°C

Wichtige Specs

VCEO
45 V
IC
100 mA
hFE
420 - 800
Gehäuse
SOT-363

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Anwendung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LBC847CDW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen NPN-Transistor für allgemeine Verstärkeranwendungen, der in einem oberflächenmontierbaren SOT-363 (SC-88) Gehäuse untergebracht ist.