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LBC848BWT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LBC848BWT1G product

LBC848BWT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNTransistorSOT-323

Der LBC848BWT1G ist ein NPN-Silizium-Transistor für allgemeine Anwendungen im SC70 (SOT-323) Gehäuse, ideal für Kleinsignal-Schalt- und Verstärkeraufgaben.

Ideal für

  • Kleinsignalverstärkung
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 150mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung in kompakten Layouts

Wichtige Specs

VCEO
30 V
IC
100 mA
hFE
200-450

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Anwendungen

Datenblatt

72c1bfcca9cf6776c2d768ed86f9d75e_2404091720_LRC-LBC848BWT1G_C976199.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LBC848BWT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Transistor für allgemeine Zwecke, der in einem kompakten SC70 (SOT-323) Gehäuse für die Oberflächenmontage untergebracht ist.