ProjektePreiseInsights

LBC856ALT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LBC856ALT1G product

LBC856ALT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTransistorSOT-23

Der LBC856ALT1G ist ein PNP-Silizium-Transistor für allgemeine Anwendungen im kompakten SOT-23-Gehäuse, ideal für Schalt- und Verstärkeraufgaben.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltaufgaben
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 225mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr bei kompaktem Design

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-65 V
IC
-100 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Anwendungen

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LBC856ALT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Transistor für allgemeine Zwecke mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von -65V.