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LBC857BDW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LBC857BDW1T1G product

LBC857BDW1T1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Dual PNPTransistorSOT-363

Der LBC857BDW1T1G ist ein dualer PNP-Allzwecktransistor im kompakten SOT-363-Gehäuse, der für oberflächenmontierte Verstärkeranwendungen mit geringer Leistung optimiert ist.

Ideal für

  • Allgemeine Signalverstärkung
  • Platzsparende Leiterplattendesigns

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungs-Schaltanwendungen
  • Schaltungen mit VCEO > 45V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Belastungsgrenzen auf der Ziel-Leiterplatte

Wichtige Specs

Polarität
2 PNP
VCEO
-45 V
IC
-100 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Verstärker

Datenblatt

6d9d92ce9c09126e7d1fb07b2195f1c1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LBC857BDW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen PNP-Transistor für allgemeine Verstärkeranwendungen, der in einem SOT-363 (SC-88) SMD-Gehäuse untergebracht ist.