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LBC857CWT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LBC857CWT1G product

LBC857CWT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTransistorSOT-323

Der LBC857CWT1G ist ein PNP-Transistor für allgemeine Verstärkeranwendungen im kompakten SOT-323/SC-70-Gehäuse.

Ideal für

  • Allgemeine Verstärkung
  • Stromsparende SMD-Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungs-Schaltanwendungen über -100mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen

Wichtige Specs

Polarität
PNP
VCEO
-45 V
IC
-100 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Anwendung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LBC857CWT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Siliziumtransistor für allgemeine Verstärkeranwendungen, der in einem kleinen SOT-323/SC-70-Gehäuse untergebracht ist.