ProjektePreiseInsights

LBSS260DW1T1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LBSS260DW1T1G product

LBSS260DW1T1G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VSOT-363

Der LBSS260DW1T1G ist ein 60V, 200mA N-Kanal-MOSFET im kompakten SOT-363-Gehäuse, optimiert für tragbare Elektronik und Lastschaltanwendungen.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochstrom-Leistungsstufen
  • Umgebungen über 150°C

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Vdss
60 V
Id
200 mA
Gehäuse
SOT-363

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Tragbare GeräteLastschaltung

Datenblatt

8d8c11b8e3c4a606efefc162c80db766.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LBSS260DW1T1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 60V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von 200mA, der für schnelles Schalten ausgelegt ist.