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LDTC143EET1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LDTC143EET1G product

LDTC143EET1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNBRTSC-89Vorgespannt

Der LDTC143EET1G ist ein NPN-Bias-Resistor-Transistor (BRT) mit integriertem 4,7kΩ/4,7kΩ-Widerstandsnetzwerk im kompakten SC-89-Gehäuse.

Ideal für

  • Digitale Logikschaltungen
  • Schnittstellenschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 100mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität des Widerstandsverhältnisses mit Ihrem Steuersignal

Wichtige Specs

R1
4,7 kΩ
R2
4,7 kΩ
VCEO
50 V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeines Schalten

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LDTC143EET1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen digitalen NPN-Transistor, der ein Bias-Widerstandsnetzwerk (R1=4,7kΩ, R2=4,7kΩ) direkt in das Bauteil integriert, was das Schaltungsdesign vereinfacht und die Bauteilanzahl reduziert.