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LDTD123YLT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LDTD123YLT1G product

LDTD123YLT1G

Chip Resistor - Surface Mount

NPNPre-BiasedSOT-23

Der LDTD123YLT1G ist ein NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen im SOT-23-Gehäuse, der für Inverter-, Schnittstellen- und Treiberschaltungen optimiert ist.

Ideal für

  • Inverterschaltungen
  • Schnittstellentreiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 200mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangsspannungspegel

Wichtige Specs

R1
2,2 kΩ
R2
10 kΩ
Ic (Max)
500 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

InverterSchnittstelleTreiber

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LDTD123YLT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Silizium-Transistor für die Oberflächenmontage mit einem monolithischen Bias-Widerstandsnetzwerk, das externe Eingangswiderstände überflüssig macht.