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LDTD143ELT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LDTD143ELT1G product

LDTD143ELT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNPre-BiasedSOT-23BRT

Der LDTD143ELT1G ist ein NPN-Transistor mit integrierten Bias-Widerständen (BRT) im SOT-23-Gehäuse, der durch seine 4,7kΩ-Widerstände das Schaltungsdesign für Schalt- und Schnittstellenanwendungen vereinfacht.

Ideal für

  • Digitale Schaltkreise
  • Schnittstellenlogik
  • Inverterstufen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsverstärkung über 200mW
  • Anwendungen, die präzise, einstellbare Arbeitspunkte erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangsspannungspegel
  • Wärmemanagement

Wichtige Specs

Transistortyp
NPN Pre-Biased
R1 Widerstand
4,7 kΩ
Max. Ausgangsstrom
500 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

InverterschaltungenSchnittstellenlogik

Datenblatt

2312c23b037f0083460475baf1063d77_2212131909_LRC-LDTD143ELT1G_C5273247.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LDTD143ELT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Silizium-Oberflächenmontage-Transistor mit einem monolithischen Bias-Widerstandsnetzwerk, der für Inverter-, Schnittstellen- oder Treiberanwendungen konzipiert ist.