ProjektePreiseInsights

LGE2310 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LGE2310 product

LGE2310

MOSFETs - Single

N-Kanal60VSOT-23MOSFET

Der LGE2310 ist ein 60V N-Kanal TrenchFET-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für Batterieschaltungen und DC/DC-Wandler.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • DC/DC-Wandlung mit geringer Leistung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hoher Leistung über 0,35W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
3 A
RDS(on)
<105 mΩ
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatteriesysteme

Datenblatt

f81aca493c84ca22942954a7295bfd9c_2407101526_LGE-LGE2310_C27975290.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LGE2310 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der LGE2310 ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET von LGE mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 60V und einem Dauerstrom von 3A.