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LGE3D20120H KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LGE3D20120H product

LGE3D20120H

Diodes - Rectifiers - Single

SiCSchottky1200VLeistungsdiode

Die LGE3D20120H ist eine 1200V, 20A Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Diode im TO-247-2L-Gehäuse, optimiert für hocheffiziente Hochfrequenz-Leistungswandler.

Ideal für

  • Hochfrequenz-Netzteile
  • Solar-Wechselrichter
  • Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Standard-Siliziumdioden ausreichen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Schutz vor Spannungsspitzen

Wichtige Specs

Vr (Max)
1200 V
If (Max)
20 A
Vf (Typ)
1,45 V
Qc
93 nC

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
Compliant
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

LeistungswandlungIndustrie

Datenblatt

0df065c2b05a51863884191baeb444ba_2302091130_LGE-LGE3D20120H_C5358474.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LGE3D20120H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine leistungsstarke Siliziumkarbid (SiC)-Schottky-Diode mit einer Nennspannung von 1200V und 20A, die für Anwendungen mit hohen Anforderungen an Effizienz und Zuverlässigkeit entwickelt wurde.