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LM5113QDPRRQ1 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LM5113QDPRRQ1 product

LM5113QDPRRQ1

Gate Drivers

GaN-TreiberAutomobilHalbbrücke

Der LM5113-Q1 ist ein leistungsstarker, für die Automobilindustrie qualifizierter Halbbrücken-Gate-Treiber, der speziell für GaN-FETs optimiert wurde.

Ideal für

  • Automotive-Stromwandler
  • GaN-basierte synchrone Abwärts-/Aufwärtswandler

Vermeiden, wenn

  • Standard-Silizium-MOSFET-Anwendungen, bei denen ein einfacherer Treiber ausreicht

Vor der Verwendung prüfen

  • Dimensionierung der Bootstrap-Diode und des Kondensators für spezifische Schaltfrequenzen

Wichtige Specs

Max. Spannung
90V
Spitzen-Senkstrom
5A
Temperaturbereich
-40°C bis 125°C

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level-1-260C-UNLIM
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

AutomobilStromwandlung

Datenblatt

Texas-Instruments-company-64.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LM5113QDPRRQ1 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 90V, 1.2A/5A Halbbrücken-Gate-Treiber, der speziell für Enhancement-Mode-GaN-FETs in Automobilanwendungen entwickelt wurde.