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LMBT2907AWT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMBT2907AWT1G product

LMBT2907AWT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPTransistorSOT-323

Der LMBT2907AWT1G ist ein PNP-Universalschalttransistor im kompakten SOT-323-Gehäuse, ideal für Automotive- und Industrieanwendungen.

Ideal für

  • Allgemeine Schaltanwendungen
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 150mW Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung

Wichtige Specs

VCEO
-60 V
IC
-600 mA
Gehäuse
SOT-323

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemein

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMBT2907AWT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Silizium-Transistor für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen im SOT-323-Gehäuse.