ProjektePreiseInsights

LMBT5401LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMBT5401LT1G product

LMBT5401LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPHochspannungSOT-23Transistor

Der LMBT5401LT1G ist ein Hochspannungs-PNP-Transistor im SOT-23-Gehäuse, der sich hervorragend für Schalt- und Verstärkeranwendungen eignet.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltung
  • Signalverstärkung
  • Automobil-Steuerschaltungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über 500mA
  • Umgebungen mit extrem hoher Verlustleistung ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Spannungsspitzen in der Schaltung

Wichtige Specs

VCEO
-150 V
IC
-500 mA
hFE
60 - 240
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrielle Steuerung

Datenblatt

o4YBAF6eWNyAagVnAAHoQOwVOWQ412.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMBT5401LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Hochspannungs-PNP-Bipolartransistor (BJT) von LRC, der häufig in Schalt- und Verstärkerschaltungen eingesetzt wird.