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LMBT5551 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMBT5551 product

LMBT5551

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNHochspannungSOT-23

Der LMBT5551 ist ein NPN-Hochspannungstransistor im kompakten SOT-23-Gehäuse, der für Anwendungen mit hohen Durchbruchspannungen bis zu 160V ausgelegt ist.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltung
  • Signalverstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die Ströme deutlich über 600mA erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine AnwendungLeistungsschaltung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMBT5551 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der LMBT5551 ist ein NPN-Bipolartransistor (BJT) für hohe Spannungen, der häufig in Schalt- und Verstärkerschaltungen eingesetzt wird.