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LMBT5551LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMBT5551LT1G product

LMBT5551LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNHochspannungSOT-23AEC-Q101

Der LMBT5551LT1G ist ein NPN-Hochspannungstransistor im SOT-23-Gehäuse, der 160V VCEO und 600mA Kollektorstrom bewältigt.

Ideal für

  • Hochspannungsschaltungen
  • Signalverstärkung
  • Automotive-Elektronik

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen deutlich über 600mA
  • Anwendungen mit hoher Verlustleistung ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Derating-Anforderungen
  • PCB-Footprint-Kompatibilität

Wichtige Specs

VCEO
160 V
IC
600 mA
hFE
80 - 250
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAutomobilAllgemeines Schalten

Datenblatt

8a1fbef75cb54415367a3cc7b08ed874.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMBT5551LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Bipolartransistor für allgemeine Schalt- und Verstärkeranwendungen.