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LMBTA13LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMBTA13LT1G product

LMBTA13LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNDarlingtonSOT-23

Der LMBTA13LT1G ist ein NPN-Darlington-Transistor mit hoher Verstärkung im SOT-23-Gehäuse, ideal für allgemeine Verstärkeranwendungen.

Ideal für

  • Signalverstärkung
  • Schaltanwendungen mit geringer Leistung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 300mA
  • Hochfrequenzschaltungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • Stabilität der Verstärkung

Wichtige Specs

VCEO
30 V
IC
300 mA
hFE
5.000 min

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeine Anwendungen

Datenblatt

f599be63514e5d3b7726fc1194254a25.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMBTA13LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen NPN-Darlington-Verstärkertransistor für Anwendungen mit hoher Verstärkung, der in einem kompakten SOT-23-Gehäuse geliefert wird.