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LMG1205YFXR KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMG1205YFXR product

LMG1205YFXR

Gate Drivers

GaN-TreiberHalbbrückeHochfrequenz

Der LMG1205 ist ein spezialisierter Hochfrequenz-Gatetreiber für GaN-FETs mit integrierter Bootstrap-Funktionalität und getrennten Ausgängen für optimiertes Schaltverhalten.

Ideal für

  • Synchrone Abwärtswandler
  • GaN-basierte Leistungsstufen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die keine GaN-spezifischen Gate-Treiberspannungen erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Stabilität der VDD-Versorgung und Platzierung des Bootstrap-Kondensators

Wichtige Specs

Max. Sinkstrom
5 A
Ausbreitungsverzögerung
35 ns
Max. Betriebsspannung
100 V

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level-1-260C-UNLIM
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Leistungselektronik

Datenblatt

Texas-Instruments-company-64.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMG1205YFXR laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 80-V-Halbbrücken-Gatetreiber, der speziell für Enhancement-Mode Galliumnitrid (GaN) FETs entwickelt wurde.