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LMUN2116LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN2116LT1G product

LMUN2116LT1G

Transistors - BJT - Arrays

PNPPre-BiasedSOT-23

Der LMUN2116LT1G ist ein PNP-Transistor mit integriertem Basisvorwiderstand (4,7 kΩ), der diskrete Bauteile in kompakten SMD-Designs ersetzt.

Ideal für

  • Platzsparende Schaltkreise
  • Digitale Schnittstellen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen internen Basis-Emitter-Shunt-Widerstand benötigen

Vor der Verwendung prüfen

  • Basis-Ansteuerungsstrom

Wichtige Specs

R1
4,7 kΩ
R2
∞
VCEO
50 V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemeines Schalten

Datenblatt

c0e356409b0ed504847db0139ececff8.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN2116LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein PNP-Silizium-SMD-Transistor mit integriertem Bias-Widerstandsnetzwerk, der einen 4,7 kΩ Basisvorwiderstand enthält.