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LMUN2215LT1G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

LMUN2215LT1G product

LMUN2215LT1G

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNDigitaltransistorVorwiderstand

Der LMUN2215LT1G ist ein NPN-Digitaltransistor mit integriertem Basiswiderstand im SOT-23-Gehäuse, ausgestattet mit einem 10kΩ-Eingangswiderstand ohne internen Pull-down.

Ideal für

  • Digitale Schaltanwendungen
  • Platzsparende Designs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen internen Pull-down-Widerstand (R2) erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Eingangsspannungspegel

Wichtige Specs

Vceo
50 V
Ic
100 mA
R1
10 kΩ
Gehäuse
SOT-23

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Allgemein

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für LMUN2215LT1G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein NPN-Digitaltransistor mit integriertem Bias-Widerstandsnetzwerk zur Vereinfachung des Schaltungsdesigns.